Министерство образования и науки Российской Федерации

Муромский институт (филиал)

федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования

 «Владимирский государственный университет

имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых»

(МИ ВлГУ)

 

Кафедра  РТ 

 

 

 

«   06   »       06       2017 г.

 

 

 

 

Рабочая программа ДИСЦИПЛИНЫ

 

     Физические основы электроники     

 




Направление подготовки

11.03.01 Радиотехника

Профиль подготовки

"Радиотехнические средства передачи, приема и обработки сигналов "

Квалификация (степень)выпускника

бакалавр









          

Семестр

Трудоем-кость,

час. / зач. ед.

Лек-ции,

час.

 

Практи-ческие занятия,

час.

Лабора-торные работы,

час.

Консуль-тация,

час.

Конт-роль,

час.

Всего (контак-тная работа),

час.

СРС,

час.

Форма

промежу-точного контр.

(экз., зач., зач. с оц.)

2

108 / 3  

24  

 

32  

4,4  

0,35  

60,75  

20,6  

Экз.(26,65)  

Итого

108 / 3  

24  

 

32  

4,4  

0,35  

60,75  

20,6  

26,65  

 

Муром, 2017 г.


1. Цель освоения дисциплины

Цель дисциплины: формирование знаний о физических принципах работы приборов электроники и микроэлектроники, подготовка студентов младших курсов к изучению дисциплин, базирующихся на знании основных полупроводниковых приборов, явлениях в них, их характеристик и параметров.

Основными задачами дисциплины являются изучение:

- материалов электронной техники, их электрофизических и квантово-механических свойств;

- теории электропроводности и элементов зонной теории твердых тел;

- процессов в примесных и собственных полупроводниках;

- разновидности контактных явлений и переходов;

- физических процессов в биполярном и полевом транзисторах, их характеристик;

- физических основ микроэлектроники.

2. Место дисциплины в структуре ОПОП ВО (Цикл (Б1.В.08))

Курс базируется на знаниях, полученных студентами в области математических и естественно-научных дисциплин, в большей степени математики и физики. Углубление и расширение вопросов, изложенных в данном курсе, будет осуществляться во время работы студентов над дисциплинами: "Электроника", "Схемотехника аналоговых электронных устройств", "Цифровые устройства и микропроцессоры", "Основы компьютерного проектирования РЭС".

3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины

ОПК-1 способность представлять адекватную современному уровню знаний научную картину мира на основе знания основных положений, законов и методов естественных наук и математики.

ОПК-2 способность выявлять естественно-научную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлекать для их решения соответствующий физико-математический аппарат.

ОПК-7 способность учитывать современные тенденции развития электроники, измерительной и вычислительной техники, информационных технологий в своей профессиональной деятельности.

 

В результате освоения дисциплины обучающийся должен демонстрировать следующие результаты образования:

1) Знать:

фундаментальные законы природы и основные физические законы, описывающие физические процессы в полупроводниковых приборах, явления в полупроводниках, контактные явления на границе полупроводников и металлов (ОПК-2).

знать современные методы построения и возможности электроники (ОПК-7).

2) Уметь:

применять основные положения, законы и методы естественных наук и математики для решения практических задач (ОПК-1).

выявлять естественно-научную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности (ОПК-2).

учитывать современные тенденции развития электроники в своей профессиональной деятельности (ОПК-7).

3) Владеть:

основными положениями, законами и методами естественных наук и математики для решения поставленных задач (ОПК-1).

 


4. Структура и содержание дисциплины

Общая трудоемкость дисциплины составляет 3 зачетные единицы, 108 часов.

 

4.1. Форма обучения: очная

Уровень базового образования: среднее общее.

Срок обучения 4г.

 

4.1.1. Структура дисциплины


 

Раздел (тема)

дисциплины

 

Виды учебной работы, включая самостоятельную работу студентов и трудоемкость

(в часах)

 

Форма  текущего контроля успеваемости (по неделям семестра), форма промежуточной аттестации

  (по семестрам)

 

п\п

Семестр

Лекции

Семинары

Практические занятия

Лабораторные работы

Контрольные работы

СРС

КП / КР

Консультация

Контроль

1

Материалы электронной техники и их электрофизические свойства.

2

2

4

тестирование

2

Контактные явления в полупроводниках.

2

2

0

тестирование, выполнение и защита лабораторной работы

3

Полупроводниковые диоды.

2

2

8

7

тестирование, выполнение и защита лабораторной работы

4

Биполярные транзисторы.

2

8

8

4

тестирование, выполнение и защита лабораторной работы

5

Полевые транзисторы.

2

4

8

2

тестирование, выполнение и защита лабораторной работы

6

Тиристоры.

2

2

4

2

тестирование, выполнение и защита лабораторной работы

7

Приборы, основанные на других свойствах полупроводников.

2

2

1,6

тестирование

8

Физические основы микроэлектроники

2

2

4

0

тестирование, выполнение и защита лабораторной работы

Всего за  семестр

108

24

32

20,6

4,4

0,35

Экз.(26,65)

Итого   

108

24

32

20,6

4,4

0,35

26,65

 

4.1.2. Содержание дисциплины

4.1.2.1. Перечень лекций

Семестр 2

Раздел 1. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства.

Лекция 1.

Введение в курс «Физические основы электроники». Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Элементарная теория электропроводности. Основы зонной теории полупроводников. Собственные и примесные полупроводники (2 часа).

Раздел 2. Контактные явления в полупроводниках.

Лекция 2.

Диффузия носителей заряда в полупроводниках. Контактные явления в полупроводниках. Электронно-дырочный переход. Характеристики p-n перехода. Переход металл-полупроводник (2 часа).

Раздел 3. Полупроводниковые диоды.

Лекция 3.

Полупроводниковые диоды, характеристики и параметры (2 часа).

Раздел 4. Биполярные транзисторы.

Лекция 4.

Биполярные транзисторы (БТ). Классификация, общие сведения и физические процессы в БТ. Токи в транзисторе. Усиление с помощью транзистора (2 часа).

Лекция 5.

Основные схемы включения транзисторов. Коэффициенты передачи токов в статическом режиме (2 часа).

Лекция 6.

Статические характеристики биполярных транзисторов. Параметры и эквивалентные схемы транзисторов: физические (Т-образные) и в виде активных четырехполюсников (2 часа).

Лекция 7.

Влияние температуры на характеристики и параметры БТ. Частотные свойства и параметры транзисторов. Импульсный режим работы БТ. Собственные шумы транзисторов и диодов (2 часа).

Раздел 5. Полевые транзисторы.

Лекция 8.

Полевые транзисторы (ПТ). Устройство и принцип действия ПТ с затвором в виде p-n-перехода. Характеристики и параметры полевых транзисторов (2 часа).

Лекция 9.

Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторов). Физические процессы в МДП-структурах и физические параметры МДП-транзисторов. ВАХ и их зависимость от температуры (2 часа).

Раздел 6. Тиристоры.

Лекция 10.

Тиристоры. Устройство и принцип действия. Основные физические процессы. Режимы работы. Разновидности тиристоров: динистор, тринистор, симистор (2 часа).

Раздел 7. Приборы, основанные на других свойствах полупроводников.

Лекция 11.

Поверхностные явления в полупроводниках; фотоэлектрические явления в полупроводниках; люминесценция полупроводников. Варисторы. Терморезисторы. Полупроводниковые гальваномагнитные приборы. Полупроводниковые фотоэлектрические приборы. Излучающие приборы. Оптроны (2 часа).

Раздел 8. Физические основы микроэлектроники

Лекция 12.

Конструктивно-технологические особенности микроэлектроники. Элементы интегральных схем, основные их параметры и характеристики. Структуры, принципы действия. Характеристики и параметры (2 часа).

 

4.1.2.2. Перечень практических занятий

Не планируется.

 

4.1.2.3. Перечень лабораторных работ

Семестр 2

Раздел 1. Полупроводниковые диоды.

Лабораторная 1.

Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов (4 часа).

Лабораторная 2.

Исследование зависимости вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов от температуры (4 часа).

Раздел 2. Биполярные транзисторы.

Лабораторная 3.

Исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером (4 часа).

Лабораторная 4.

Исследование частотных параметров биполярных транзисторов (4 часа).

Раздел 3. Полевые транзисторы.

Лабораторная 5.

Исследование характеристик и параметров полевых транзисторов (4 часа).

Лабораторная 6.

Исследование характеристик и параметров МДП-транзисторов методом моделирования (4 часа).

Раздел 4. Тиристоры.

Лабораторная 7.

Исследование характеристик и параметров тиристоров (4 часа).

Раздел 5. Физические основы микроэлектроники

Лабораторная 8.

Исследование статических характеристик и параметров ТТЛ ИМС (4 часа).

 

Методические указания к лабораторным работам приведены в https://www.mivlgu.ru/iop/mod/folder/view.php?id=15730

 

4.1.2.4. Перечень учебно-методического обеспечения для самостоятельной работы

Методические указания для самостоятельной работы размещены на информационно-образовательном портале института по ссылке https://www.mivlgu.ru/iop/course/view.php?id=5058.

Для самостоятельной работы также используются издания из списка приведенной ниже основной и дополнительной литературы.

Перечень тем, вынесенных на самостоятельное изучение:

1. Классификация полупроводниковых материалов.

2. Свойства полупроводниковых материалов.

3. Определение параметров полупроводниковых диодов.

4. Построение рабочих характеристик полупроводниковых диодов.

5. Маркировка полупроводниковых приборов.

6. Расчет первичных параметров биполярных транзисторов.

7. Расчет вторичных параметров биполярных транзисторов.

8. Виды полевых транзисторов.

9. Применение тиристоров.

10. Полупроводниковые приборы, использующие свойства полупроводников.

11. Классификация интегральных микросхем.

12. Методы изоляции элементов интегральных микросхем.

13. Реализация активных и пассивных элементов интегральных схем.

14. Технология изготовления полупроводниковых микросхем.

 

4.1.2.5. Перечень тем контрольных работ, рефератов, ТР, РГР, РПР

Не планируется.

 

4.1.2.6. Примерный перечень тем курсовых работ (проектов)

Не планируется.

 


4. 2. Форма обучения: заочная

Уровень базового образования: среднее профессиональное.

Срок обучения 3г 6м.

 

Семестр

Трудоем-кость,

час. / зач. ед.

Лек-ции,

час.

 

Практи-ческие занятия,

час.

Лабора-торные работы, час.

Консуль-тация,

час.

Конт-роль,

час.

Всего (контак-тная работа),

час.

СРС,

час.

Переат-теста-ция

Форма

промежу-точного контроля

(экз., зач., зач. с оц.)

2

108 / 3  

4  

 

4  

2  

0,6  

10,6  

52,75  

36  

Экз.(8,65)  

Итого

108 / 3  

4  

 

4  

2  

0,6  

10,6  

52,75  

36  

8,65  

 

4.2.1. Структура дисциплины


 

Раздел (тема)

дисциплины

 

Виды учебной работы, включая самостоятельную работу студентов и трудоемкость

(в часах)

 

Форма  текущего контроля успеваемости (по неделям семестра), форма промежу-точной аттестации

  (по семестрам)

 

п\п

Семестр

Лекции

Семинары

Практические занятия

Лабораторные работы

Контрольные работы

СРС

КП / КР

Консультация

Контроль

1

Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды.

2

2

4

12

тестирование, выполнение лабораторной работы, выполнение контрольной работы

2

Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Приборы, основанные на других свойствах полупроводников. Физические основы микроэлектроники.

2

2

40,75

тестирование, выполнение лабораторной работы, выполнение контрольной работы

Всего за  семестр

72

4

4

+

52,75

2

0,6

Экз.(8,65)

Итого   

72

4

4

52,75

2

0,6

8,65

Итого с переаттестацией   

108

 

4.2.2. Содержание дисциплины

4.2.2.1. Перечень лекций

Семестр 2

Раздел 1. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды.

Лекция 1.

Введение в курс «Физические основы электроники». Элементарная теория электропроводности. Основы зонной теории полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. Полупроводниковый диод (2 часа).

Раздел 2. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Приборы, основанные на других свойствах полупроводников. Физические основы микроэлектроники.

Лекция 2.

Биполярные и полевые транзисторы, принцип действия, их характеристики и параметры (2 часа).

 

4.2.2.2. Перечень практических занятий

Не планируется.

 

4.2.2.3. Перечень лабораторных работ

Семестр 2

Раздел 1. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды.

Лабораторная 1.

Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов. Исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером (4 часа).

 

4.2.2.4. Перечень учебно-методического обеспечения для самостоятельной работы

Методические указания для самостоятельной работы размещены на информационно-образовательном портале института по ссылке https://www.mivlgu.ru/iop/course/view.php?id=5058.

Для самостоятельной работы также используются издания из списка приведенной ниже основной и дополнительной литературы.

Перечень тем, вынесенных на самостоятельное изучение:

1. Классификация полупроводниковых материалов.

2. Свойства полупроводниковых материалов.

3. Элементарная теория электропроводности. Основы зонной теории полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.

4. Диффузия носителей заряда в полупроводниках.

5. Контактные явления в полупроводниках. Электронно-дырочный переход.

6. Характеристики p-n перехода.

7. Переход металл-полупроводник.

8. Полупроводниковые диоды, характеристики и параметры.

9. Определение параметров полупроводниковых диодов.

10. Построение рабочих характеристик полупроводниковых диодов.

11. Маркировка полупроводниковых приборов.

12. Классификация, общие сведения и физические процессы в БТ.

13. Токи в транзисторе.

14. Усиление с помощью транзистора.

15. Основные схемы включения транзисторов.

16. Коэффициенты передачи токов в статическом режиме.

17. Статические характеристики биполярных транзисторов.

18. Параметры и эквивалентные схемы транзисторов: физические (Т-образные) и в виде активных четырехполюсников.

19. Расчет первичных параметров биполярных транзисторов.

20. Расчет вторичных параметров биполярных транзисторов.

21. Влияние температуры на характеристики и параметры БТ.

22. Частотные свойства и параметры транзисторов.

23. Импульсный режим работы БТ.

24. Собственные шумы транзисторов и диодов.

25. Виды полевых транзисторов.

26. Устройство и принцип действия ПТ с затвором в виде p-n-перехода.

27. Характеристики и параметры полевых транзисторов.

28. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторов).

29. Физические процессы в МДП-структурах и физические параметры МДП-транзисторов.

30. ВАХ и их зависимость от температуры.

31. Тиристоры. Устройство и принцип действия. Основные физические процессы.

32. Разновидности тиристоров: динистор, тринистор, симистор.

33. Применение тиристоров.

34. Поверхностные явления в полупроводниках.

35. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.

36. люминесценция полупроводников.

37. Варисторы.

38. Терморезисторы.

39. Полупроводниковые гальваномагнитные приборы.

40. Полупроводниковые фотоэлектрические приборы.

41. Излучающие приборы.

42. Оптроны.

43. Конструктивно-технологические особенности микроэлектроники.

44. Элементы интегральных схем, основные их параметры и характеристики.

45. Структуры ИС, принципы действия. Характеристики и параметры.

46. Классификация интегральных микросхем.

47. Методы изоляции элементов интегральных микросхем.

48. Реализация активных и пассивных элементов интегральных схем.

49. Технология изготовления полупроводниковых микросхем.

 

4.2.2.5. Перечень тем контрольных работ, рефератов, ТР, РГР, РПР

1. Определение параметров полупроводниковых приборов по их вольт-амперным характеристикам.

 

4.2.2.6. Примерный перечень тем курсовых работ (проектов)

Не планируется.

 

5. Образовательные технологии

В процессе изучения дисциплины применяется контактная технология преподавания (за исключением самостоятельно изучаемых студентами вопросов). Шаги решения задач студентам демонстрируются при помощи мультимедийной техники. В дальнейшем студенты самостоятельно решают аналогичные задания.

 

6. Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной аттестации по итогам освоения дисциплины и учебно-методическое обеспечение самостоятельной работы студентов.

Фонды оценочных средств приведены в приложении.

 

7. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины Физические основы электроники

7.1. Основная учебно-методическая литература по дисциплине

1. Электроника и микропроцессорная техника : учебник / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. — Москва : КноРус, 2016. — 798 с. — Для бакалавров. — ISBN 978-5-406-04844-3. https://www.book.ru/book/919270 - https://www.book.ru/book/919270

2. Физические основы электроники: Методические указания по выполнению лабораторных работ для студентов образовательных программ 11.03.01 Радиотехника; 11.03.02 Инфокоммуникационные технологии и системы связи / Ромашов В.В., Ромашова Л.В. [Электронный ресурс]. – Электрон. текстовые дан. (1,4 Мб). - Муром.: МИ (филиал) ВлГУ, 2015. – 1 электрон. опт. диск (CD-R). – Систем. требования: процессор х86 с тактовой частотой 500 МГц и выше; 512 Мб ОЗУ; Windows ХР/7/8; видеокарта SVGA 1280x1024 High Color (32 bit); привод CD-ROM. - Загл. с экрана. - https://www.mivlgu.ru/iop/mod/folder/view.php?id=15730

 

7.2. Дополнительная учебно-методическая литература по дисциплине

1. Щука А. Электроника. 2 изд. СПб. : БХВ-Петербург, 2008, 752 с., Гриф УМО. - http://ibooks.ru/reading.php?productid=22686

2. Алексенко, А.Г. Основы микросхемотехники. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: БИНОМ Лаборатория Знаний, 2004. – 448 с.: ил. – Библиогр.: с. 438-442. – (Технический университет). 5 экз. 621.382(075.8) - 5 экз.

3. Пасынков, В.В. Полупроводниковые приборы: учебное пособие / В.В.Пасынков, Л.К.Чиркин. – 9-е изд., стер. – СПб.: Лань, 2009. – 480 с.: ил. [Гриф МО] 5 экз. 621.382(075.8) - 5 экз.

 

7.3. Перечень информационных технологий, используемых при осуществлении образовательного процесса по дисциплине, включая перечень программного обеспечения и информационных справочных систем

В образовательном процессе используются информационные технологии, реализованные на основе информационно-образовательного портала института (www.mivlgu.ru/iop), и инфокоммуникационной сети института:

- предоставление учебно-методических материалов в электроном виде;

- взаимодействие участников образовательного процесса через локальную сеть института и Интернет;

- предоставление сведений о результатах учебной деятельности в электронном личном кабинете обучающегося.

Информационные справочные системы:

Информационно-справочная социальная сеть радиотехников и электроников www.umup.ru/ .

Радиотехнический сайт RADIOTRACT. Радиотехника и электроника для разработчиков и радиолюбителей http://radiotract.ru/link_sprav.html.

Радиотехнические системы http://rateli.ru/ .

Портал для радиолюбителей http://www.radioman-portal.ru/ .

Электрические схемы http://esxema.ru/ .

Программы по радиотехнике и электронике http://creatiff.realax.ru/?cat=programs&page=progrm1 .

Программное обеспечение:

Лаборатория электронных приборов и устройств

Microsoft Windows XP (DreamSpark Premium Electronic Software Delivery (3 year) Renewal (подписка на программное обеспечение Microsoft для академических организаций, договор №453 от 16.12.2014 года));

Kaspersky Endpoint Security для бизнеса, стандартный Russian Edition, антивирусный пакет (500-999 Node 2 year Educational Renewal License, договор №436 от 11.11.2014 года).

Mathcad Education – University Edition (100 pack) v.14 (Государственный контракт №1, от 10.01.2012 года);

MicroCap 9.0 (freeware);

Оpen office.org 3.0.0 (freeware).

 

7.4. Перечень ресурсов информационно-телекоммуникационной сети «Интернет», необходимых для освоения дисциплины

book.ru

mivlgu.ru

ibooks.ru

 

8. Описание материально-технической базы, необходимой для осуществления образовательного процесса по дисциплине

Лаборатория электронных приборов и устройств

Проектор NEC NP40G.

Рабочая станция HP Core 2 DUO, 3 GHz; 2 GB, DVD-RW/HP 19” .

Экран настенный Da-Lite.

Комплект стендов по дисциплине «Физические основы электроники».

Мультимедийная станция обучения монтажу и работе аналоговой и цифровой схемотехники «Легс 1».

Мультимедийная станция обучения монтажу и работе аналоговой и цифровой микроэлектроники «Легс 3».

Вольтметр универсальный цифровой В7-38 2 шт

Генератор Г3-112 2 шт.

Милливольтметр В3-41

Осциллограф UNI-T UTD 2025T 2 шт.

Характериограф TR-4805

 

9. Методические указания по освоению дисциплины

Для успешного освоения теоретического материала обучающийся: знакомится со списком рекомендуемой основной и дополнительной литературы; уточняет у преподавателя, каким дополнительным пособиям следует отдать предпочтение; ведет конспект лекций и прорабатывает лекционный материал, пользуясь как конспектом, так и учебными пособиями.

До выполнения лабораторных работ обучающийся изучает соответствующий раздел теории. Перед занятием студент знакомится с описанием заданий для выполнения работы, внимательно изучает содержание и порядок проведения лабораторной работы. Лабораторная работа проводятся в компьютерном классе. Обучающиеся выполняют индивидуальную задачу компьютерного моделирования в соответствии с заданием на лабораторную работу. Полученные результаты исследований сводятся в отчет и защищаются по традиционной методике в классе на следующем лабораторном занятии. Необходимый теоретический материал, индивидуальное задание, шаги выполнения лабораторной работы и требование к отчету приведены в методических указаниях, размещенных на информационно-образовательном портале института.

Самостоятельная работа оказывает важное влияние на формирование личности будущего специалиста, она планируется обучающимся самостоятельно. Каждый обучающийся самостоятельно определяет режим своей работы и меру труда, затрачиваемого на овладение учебным содержанием дисциплины. Он выполняет внеаудиторную работу и изучение разделов, выносимых на самостоятельную работу, по личному индивидуальному плану, в зависимости от его подготовки, времени и других условий.

Форма заключительного контроля при промежуточной аттестации – экзамен. Для проведения промежуточной аттестации по дисциплине разработаны фонд оценочных средств и балльно-рейтинговая система оценки учебной деятельности студентов. Оценка по дисциплине выставляется в информационной системе и носит интегрированный характер, учитывающий результаты оценивания участия студентов в аудиторных занятиях, качества и своевременности выполнения заданий в ходе изучения дисциплины и промежуточной аттестации.

 


лист_утверждения


РЕЦЕНЗИЯ

на  рабочую программу дисциплины

«Физические основы электроники»

по направлению подготовки 11.03.01 Радиотехника

 

Рабочая программа дисциплины «Физические основы электроники» составлена в соответствии с требованиями федерального государственного образовательного стандарта по направлению подготовки 11.03.01 Радиотехника.

На изучение данного курса по учебному плану отводится 108 час. (3 ЗЕТ). Формой итогового контроля изучения дисциплины является экзамен .

Цель дисциплины: формирование знаний о физических принципах работы приборов электроники и микроэлектроники, подготовка студентов младших курсов к изучению дисциплин, базирующихся на знании основных полупроводниковых приборов, явлениях в них, их характеристик и параметров.

Основными задачами дисциплины являются изучение:

- материалов электронной техники, их электрофизических и квантово-механических свойств;

- теории электропроводности и элементов зонной теории твердых тел;

- процессов в примесных и собственных полупроводниках;

- разновидности контактных явлений и переходов;

- физических процессов в биполярном и полевом транзисторах, их характеристик;

- физических основ микроэлектроники.

Содержание занятий соответствуют требованиям образовательного стандарта. Имеется перечень вопросов для самостоятельной работы студентов, способствующий более глубокому изучению дисциплины.

Освоение дисциплины позволит студентам приобрести теоретические и практические знания, необходимые при решении задач в будущей практической деятельности.

Предлагаемые фонды оценочных средств для выявления уровня знаний и умений обучаемых полностью охватывает содержание курса и соответствуют ФГОС.

Перечень учебно-методической литературы достаточен для изучения дисциплины. Имеются ссылки на электронно-библиотечные системы.

Рабочая программа дисциплины «Физические основы электроники» рекомендуется для использования в учебном процессе по направлению подготовки 11.03.01 Радиотехника.

 

06.06.2017 г.