Министерство образования и науки Российской Федерации

Муромский институт (филиал)

федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования

 «Владимирский государственный университет

имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых»

(МИ ВлГУ)

 

Кафедра  РТ 

 

 

 

«   22   »       05       2018 г.

 

 

 

 

Рабочая программа ДИСЦИПЛИНЫ

 

     Электроника     

 




Направление подготовки

15.03.05 Конструкторско-технологическое обеспечение машиностроительных производств

Профиль подготовки

Квалификация (степень)выпускника

Бакалавр









          

Семестр

Трудоем-кость,

час. / зач. ед.

Лек-ции,

час.

 

Практи-ческие занятия,

час.

Лабора-торные работы,

час.

Консуль-тация,

час.

Конт-роль,

час.

Всего (контак-тная работа),

час.

СРС,

час.

Форма

промежу-точного контр.

(экз., зач., зач. с оц.)

4

72 / 2  

16  

 

16  

1,6  

0,25  

33,85  

38,15  

Зач.  

Итого

72 / 2  

16  

 

16  

1,6  

0,25  

33,85  

38,15  

 

 

Муром, 2018 г.


1. Цель освоения дисциплины

Цель дисциплины: теоретическая и практическая подготовка бакалавров неэлектрических специальностей в области электроники в такой степени, чтобы они могли выбирать необходимые электронные приборы, электроизмерительные устройства, уметь их правильно эксплуатировать.

Основными задачами дисциплины являются изучение:

- основных законов и методов анализа электрических , магнитных и электронных цепей;

- принципов действия, свойств, областей применения электронных устройств ;

- основных параметров электронных схем, их расчет.

2. Место дисциплины в структуре ОПОП ВО (Цикл (Б1.Б.18))

Дисциплина «Электроника» относится к циклу Б1.Б.18. Курс базируется на знаниях, полученных студентами в области математических и естественно-научных дисциплин, в большей степени математики и физики. На дисциплине «Электроника» базируется изучение дисциплин «Метрология, стандартизация и сертификация», «Теория автоматического управления» и др.

3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины

ОПК-1 способность использовать основные закономерности, действующие в процессе изготовления машиностроительных изделий требуемого качества, заданного количества при наименьших затратах общественного труда.

ПК-16 способность осваивать на практике и совершенствовать технологии, системы и средства машиностроительных производств, участвовать в разработке и внедрении оптимальных технологий изготовления машиностроительных изделий, выполнять мероприятия по выбору и эффективному использованию материалов, оборудования, инструментов, технологической оснастки, средств диагностики, автоматизации, алгоритмов и программ выбора и расчетов параметров технологических процессов для их реализации.

 

В результате освоения дисциплины обучающийся должен демонстрировать следующие результаты образования:

1) Знать:

физические процессы в полупроводниковых приборах, характеристики и параметры таких устройств (ОПК-1).

основные схемные решения на полупроводниковых приборах, принципы построения и функционирования устройств электроники (ПК-16).

2) Уметь:

рассчитывать основные параметры электронных схем (ОПК-1).

учитывать современные тенденции развития электроники в своей профессиональной деятельности (ПК-16).

3) Владеть:

основными понятиями электроники для решения задач своей профессиональной деятельности (ПК-16).

 


4. Структура и содержание дисциплины

Общая трудоемкость дисциплины составляет 2 зачетных единицы, 72 часа.

 

4.1. Форма обучения: очная

Уровень базового образования: среднее общее.

Срок обучения 4г.

 

4.1.1. Структура дисциплины


 

Раздел (тема)

дисциплины

 

Виды учебной работы, включая самостоятельную работу студентов и трудоемкость

(в часах)

 

Форма  текущего контроля успеваемости (по неделям семестра), форма промежуточной аттестации

  (по семестрам)

 

п\п

Семестр

Лекции

Семинары

Практические занятия

Лабораторные работы

Контрольные работы

СРС

КП / КР

Консультация

Контроль

1

Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды.

4

4

8

9

устный опрос

2

Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы.

4

8

8

23

устный опрос

3

Тиристоры. Транзисторные ключи. Интегральные цифровые ИМС.

4

2

4

устный опрос

4

Основы микроэлектроники.

4

2

2,15

устный опрос

Всего за  семестр

72

16

16

38,15

1,6

0,25

Зач.

Итого   

72

16

16

38,15

1,6

0,25

 

4.1.2. Содержание дисциплины

4.1.2.1. Перечень лекций

Семестр 4

Раздел 1. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды.

Лекция 1.

Введение. Основные понятия и термины электроники. Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная электропроводность полупроводников. Электронно-дырочный переход и его характеристики. Полупроводниковые диоды. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры и рабочий режим полупроводниковых диодов (2 часа).

Лекция 2.

Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока. Одно- и двухполупериодные схемы выпрямителей. Основные типы полупроводниковых диодов. Стабилитроны. Параметирический стабилизатор напряжения (2 часа).

Раздел 2. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы.

Лекция 3.

Биполярные транзисторы (БТ). Классификация, физические процессы и токи в биполярном транзисторе. Статические характеристики в БТ (2 часа).

Лекция 4.

Параметры и эквивалентные схемы транзисторов в виде активных четырехполюсников. Рабочий режим БТ. Схемы питания биполярных транзисторов. Усилительные каскады на БТ. Назначение элементов (2 часа).

Лекция 5.

Каскады усиления на транзисторах. Типовые транзисторные каскады и узлы. Виды, назначение, работа, параметры. Параметры и характеристики усилительного каскада (2 часа).

Лекция 6.

Полевые транзисторы (ПТ). Виды ПТ. Устройство и принцип действия ПТ с затвором в виде р-п перехода, с изолированным затвором (МДП-транзисторов). Характеристики и параметры полевых транзисторов. Схемы включения ПТ (2 часа).

Раздел 3. Тиристоры. Транзисторные ключи. Интегральные цифровые ИМС.

Лекция 7.

Тиристоры. Транзисторные ключи. Интегральные цифровые ИМС. Основные логические элементы на биполярных и полевых транзисторах. Структуры, принципы действия. Характеристики и параметры. Интегральные микросхемы. Виды, назначение (2 часа).

Раздел 4. Основы микроэлектроники.

Лекция 8.

Конструктивно-технологические особенности микроэлектроники. Элементы интегральных схем, основные их параметры и характеристики. Структуры, принципы действия. Характеристики и параметры (2 часа).

 

4.1.2.2. Перечень практических занятий

Не планируется.

 

4.1.2.3. Перечень лабораторных работ

Семестр 4

Раздел 1. Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды.

Лабораторная 1.

Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов (4 часа).

Лабораторная 2.

Исследование работы выпрямителей на полупроводниковых диодах. Исследование работы параметрических стабилизаторов напряжения (4 часа).

Раздел 2. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы.

Лабораторная 3.

Исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером (4 часа).

Лабораторная 4.

Изучение схем питания биполярных транзисторов (4 часа).

 

Методические указания к лабораторным работам приведены в https://www.mivlgu.ru/iop/mod/folder/view.php?id=36728.

 

4.1.2.4. Перечень учебно-методического обеспечения для самостоятельной работы

Методические указания для самостоятельной работы размещены на информационно-образовательном портале института по ссылке https://www.mivlgu.ru/iop/course/view.php?id=5058.

Для самостоятельной работы также используются издания из списка приведенной ниже основной и дополнительной литературы.

Перечень тем, вынесенных на самостоятельное изучение:

1. Классификация полупроводниковых материалов.

2. Свойства полупроводниковых материалов.

3. Определение параметров полупроводниковых диодов.

4. Построение рабочих характеристик полупроводниковых диодов.

5. Маркировка полупроводниковых приборов.

6. Классификация выпрямителей. Мостовые выпрямители, схемы, параметры.

7. Работа стабилитрона в схеме параметрического стабилизатора. Применение стабилизаторов напряжения.

8. Графоаналитический расчет рабочего режима биполярных транзисторов.

9. Схемы питания биполярных транзисторов и их расчет в схемах ОБ и ОК.

10. Схемы питания полевых транзисторах и их расчет в схемах с ОС и ОЗ.

11. Классификация выпрямителей.

12. Мостовые выпрямители.

13. Применение стабилизаторов напряжения.

14. Расчет первичных параметров биполярных транзисторов.

15. Расчет вторичных параметров биполярных транзисторов.

16. Виды полевых транзисторов. Схемы питания полевых транзисторов.

17. Построение линий нагрузки для биполярных транзисторов.

18. Усилители на биполярных транзисторах в схемах ОБ и ОК.

19. Усилительные каскады на полевых транзисторах в схемах с ОС и ОЗ.

20. Расчет параметров усилительных каскадов на полевых транзисторах.

21. Работа биполярного транзистора в ключевом режиме. Схемы транзисторных ключей.

22. Применение тиристоров.

23. Виды интегральной логики.

24. Основные параметры цифровых ИМС.

25. Классификация интегральных микросхем.

26. Методы изоляции элементов интегральных микросхем.

27. Реализация активных и пассивных элементов интегральных схем.

28. Технология изготовления полупроводниковых микросхем.

 

4.1.2.5. Перечень тем контрольных работ, рефератов, ТР, РГР, РПР

Не планируется.

 

4.1.2.6. Примерный перечень тем курсовых работ (проектов)

Не планируется.

 


4. 2. Форма обучения: заочная

Уровень базового образования: среднее общее.

Срок обучения 5г.

 

Семестр

Трудоем-кость,

час. / зач. ед.

Лек-ции,

час.

 

Практи-ческие занятия,

час.

Лабора-торные работы, час.

Консуль-тация,

час.

Конт-роль,

час.

Всего (контак-тная работа),

час.

СРС,

час.

Форма

промежуточного контроля

(экз., зач., зач. с оц.)

6

72 / 2  

4  

 

6  

2  

0,5  

12,5  

55,75  

Зач.(3,75)  

Итого

72 / 2  

4  

 

6  

2  

0,5  

12,5  

55,75  

3,75  

 

4.2.1. Структура дисциплины


 

Раздел (тема)

дисциплины

 

Виды учебной работы, включая самостоятельную работу студентов и трудоемкость

(в часах)

 

Форма  текущего контроля успеваемости (по неделям семестра), форма промежу-точной аттестации

  (по семестрам)

 

п\п

Семестр

Лекции

Семинары

Практические занятия

Лабораторные работы

Контрольные работы

СРС

КП / КР

Консультация

Контроль

1

Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды. Биполярные и полевые транзисторы.

6

4

6

55,75

Устный опрос

Всего за  семестр

72

4

6

+

55,75

2

0,5

Зач.(3,75)

Итого   

72

4

6

55,75

2

0,5

3,75

 

4.2.2. Содержание дисциплины

4.2.2.1. Перечень лекций

Семестр 6

Раздел 1. Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды. Биполярные и полевые транзисторы.

Лекция 1.

Основы зонной теории полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. Электронно-дырочный переход. Характеристики p-n перехода. Полупроводниковые диоды, характеристики и параметры (2 часа).

Лекция 2.

Биполярные и полевые транзисторы (БТ). Устройство, виды, принцип работы, характеристики и параметры. Рабочий режим биполярного транзистора (2 часа).

 

4.2.2.2. Перечень практических занятий

Не планируется.

 

4.2.2.3. Перечень лабораторных работ

Семестр 6

Раздел 1. Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды. Биполярные и полевые транзисторы.

Лабораторная 1.

Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов (4 часа).

Лабораторная 2.

Исследование характеристик и параметров биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером (2 часа).

 

4.2.2.4. Перечень учебно-методического обеспечения для самостоятельной работы

Методические указания для самостоятельной работы размещены на информационно-образовательном портале института по ссылке https://www.mivlgu.ru/iop/course/view.php?id=5058.

Для самостоятельной работы также используются издания из списка приведенной ниже основной и дополнительной литературы.

Перечень тем, вынесенных на самостоятельное изучение:

1. Классификация полупроводниковых материалов.

2. Свойства полупроводниковых материалов.

3. Определение параметров полупроводниковых диодов.

4. Построение рабочих характеристик полупроводниковых диодов.

5. Маркировка полупроводниковых приборов.

6. Классификация выпрямителей. Мостовые выпрямители, схемы, параметры.

7. Работа стабилитрона в схеме параметрического стабилизатора. Применение стабилизаторов напряжения.

8. Графоаналитический расчет рабочего режима биполярных транзисторов.

9. Схемы питания биполярных транзисторов и их расчет в схемах ОБ и ОК.

10. Схемы питания полевых транзисторах и их расчет в схемах с ОС и ОЗ.

11. Классификация выпрямителей.

12. Мостовые выпрямители.

13. Применение стабилизаторов напряжения.

14. Расчет первичных параметров биполярных транзисторов.

15. Расчет вторичных параметров биполярных транзисторов.

16. Виды полевых транзисторов. Схемы питания полевых транзисторов.

17. Построение линий нагрузки для биполярных транзисторов.

18. Усилители на биполярных транзисторах в схемах ОБ и ОК.

19. Усилительные каскады на полевых транзисторах в схемах с ОС и ОЗ.

20. Расчет параметров усилительных каскадов на полевых транзисторах.

21. Работа биполярного транзистора в ключевом режиме. Схемы транзисторных ключей.

22. Применение тиристоров.

23. Виды интегральной логики.

24. Основные параметры цифровых ИМС.

25. Классификация интегральных микросхем.

26. Методы изоляции элементов интегральных микросхем.

27. Реализация активных и пассивных элементов интегральных схем.

28. Технология изготовления полупроводниковых микросхем.

 

4.2.2.5. Перечень тем контрольных работ, рефератов, ТР, РГР, РПР

1. Расчет электронных схем.

 

4.2.2.6. Примерный перечень тем курсовых работ (проектов)

Не планируется.


4. 3. Форма обучения: заочная

Уровень базового образования: среднее общее.

Срок обучения 3г 6м.

 

Семестр

Трудоем-кость,

час. / зач. ед.

Лек-ции,

час.

 

Практи-ческие занятия,

час.

Лабора-торные работы, час.

Консуль-тация,

час.

Конт-роль,

час.

Всего (контак-тная работа),

час.

СРС,

час.

Переат-теста-ция

Форма

промежу-точного контроля

(экз., зач., зач. с оц.)

5

72 / 2  

2  

 

2  

1  

0,5  

5,5  

8,75  

54  

Зач.(3,75)  

Итого

72 / 2  

2  

 

2  

1  

0,5  

5,5  

8,75  

54  

3,75  

 

4.3.1. Структура дисциплины


 

Раздел (тема)

дисциплины

 

Виды учебной работы, включая самостоятельную работу студентов и трудоемкость

(в часах)

 

Форма  текущего контроля успеваемости (по неделям семестра), форма промежу-точной аттестации

  (по семестрам)

 

п\п

Семестр

Лекции

Семинары

Практические занятия

Лабораторные работы

Контрольные работы

СРС

КП / КР

Консультация

Контроль

1

Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды. Биполярные и полевые транзисторы.

5

2

2

8,75

Устный опрос

Всего за  семестр

18

2

2

+

8,75

1

0,5

Зач.(3,75)

Итого   

18

2

2

8,75

1

0,5

3,75

Итого с переаттестацией   

72

 

4.3.2. Содержание дисциплины

4.3.2.1. Перечень лекций

Семестр 5

Раздел 1. Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды. Биполярные и полевые транзисторы.

Лекция 1.

Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход.Основы зонной теории полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. Электронно-дырочный переход. Характеристики p-n перехода. Полупроводниковые диоды, характеристики и параметры. Биполярные и полевые транзисторы (БТ). Рабочий режим биполярного транзистора (2 часа).

 

4.3.2.2. Перечень практических занятий

Не планируется.

 

4.3.2.3. Перечень лабораторных работ

Семестр 5

Раздел 1. Полупроводниковые материалы. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды. Биполярные и полевые транзисторы.

Лабораторная 1.

Исследование характеристик и параметров полупроводниковых диодов (2 часа).

 

4.3.2.4. Перечень учебно-методического обеспечения для самостоятельной работы

Методические указания для самостоятельной работы размещены на информационно-образовательном портале института по ссылке https://www.mivlgu.ru/iop/course/view.php?id=5058.

Для самостоятельной работы также используются издания из списка приведенной ниже основной и дополнительной литературы.

Перечень тем, вынесенных на самостоятельное изучение:

1. Определение параметров полупроводниковых диодов.

2. Построение рабочих характеристик полупроводниковых диодов.

3. Мостовые выпрямители, схемы, параметры.

4. Работа стабилитрона в схеме параметрического стабилизатора. Применение стабилизаторов напряжения.

5. Графоаналитический расчет рабочего режима биполярных транзисторов.

6. Применение стабилизаторов напряжения.

7. Расчет вторичных параметров биполярных транзисторов.

8. Построение линий нагрузки для биполярных транзисторов.

9. Виды интегральной логики. Основные параметры цифровых ИМС.

10. Классификация интегральных микросхем.

 

4.3.2.5. Перечень тем контрольных работ, рефератов, ТР, РГР, РПР

1. Расчет электронных схем.

 

4.3.2.6. Примерный перечень тем курсовых работ (проектов)

Не планируется.

 

5. Образовательные технологии

В процессе изучения дисциплины "Электроника" применяется контактная технология преподавания (за исключением самостоятельно изучаемых студентами вопросов). При проведении типового расчета применяется имитационный или симуляционный подход. Шаги решения задач студентам демонстрируются при помощи мультимедийной техники. В дальнейшем студенты самостоятельно решают аналогичные задания.

 

6. Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной аттестации по итогам освоения дисциплины и учебно-методическое обеспечение самостоятельной работы студентов.

Фонды оценочных средств приведены в приложении.

 

7. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины Электроника

7.1. Основная учебно-методическая литература по дисциплине

1. Электроника и микропроцессорная техника : учебник / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. — Москва : КноРус, 2016. — 798 с. — Для бакалавров. — ISBN 978-5-406-04844-3. - https://www.book.ru/book/919270

2. Бурбаева Н.В., Днепровская Т.С. Основы полупроводниковой электроники. - М.:Физматлит. - 2012. - 310с. - https://нэб.рф/catalog/000199_000009_005454967/

 

7.2. Дополнительная учебно-методическая литература по дисциплине

1. Щука А. Электроника. 2 изд. СПб. : БХВ-Петербург, 2008, 752 с., Гриф УМО. - http://ibooks.ru/reading.php?productid=22686

 

7.3. Перечень информационных технологий, используемых при осуществлении образовательного процесса по дисциплине, включая перечень программного обеспечения и информационных справочных систем

В образовательном процессе используются информационные технологии, реализованные на основе информационно-образовательного портала института (www.mivlgu.ru/iop), и инфокоммуникационной сети института:

- предоставление учебно-методических материалов в электроном виде;

- взаимодействие участников образовательного процесса через локальную сеть института и Интернет;

- предоставление сведений о результатах учебной деятельности в электронном личном кабинете обучающегося.

Информационные справочные системы:

Информационно-справочная социальная сеть радиотехников и электроников www.umup.ru/ .

Радиотехнический сайт RADIOTRACT. Радиотехника и электроника для разработчиков и радиолюбителей http://radiotract.ru/link_sprav.html.

Радиотехнические системы http://rateli.ru/ .

Портал для радиолюбителей http://www.radioman-portal.ru/ .

Электрические схемы http://esxema.ru/ .

Программное обеспечение:

Лаборатория электронных приборов и устройств

Microsoft Windows XP (DreamSpark Premium Electronic Software Delivery (3 year) Renewal (подписка на программное обеспечение Microsoft для академических организаций, договор №453 от 16.12.2014 года))

Kaspersky Endpoint Security для бизнеса, стандартный Russian Edition, антивирусный пакет (500-999 Node 2 year Educational Renewal License, договор №436 от 11.11.2014 года).

Оpen office.org 3.0.0 (freeware)

 

7.4. Перечень ресурсов информационно-телекоммуникационной сети «Интернет», необходимых для освоения дисциплины

book.ru

нэб.рф

ibooks.ru

 

8. Описание материально-технической базы, необходимой для осуществления образовательного процесса по дисциплине

Лаборатория электронных приборов и устройств

Рабочая станция HP Core 2 DUO, 3 GHz; 2 GB, DVD-RW/HP 19” 2 шт.

Экран настенный Da-Lite

Проектор NEC NP40G

Комплект лабораторных стендов «Электроника»

Блок питания Rigol DP832A

Вольтметр универсальный цифровой В7-38 2 шт

Генератор Г3-112 2 шт.

Милливольтметр В3-56

Милливольтметр В3-41

Осциллограф UNI-T UTD 2025T 2 шт.

Мультиметр UNI-T UT 803 2 шт.

 

9. Методические указания по освоению дисциплины

Для успешного освоения теоретического материала обучающийся: знакомится со списком рекомендуемой основной и дополнительной литературы; уточняет у преподавателя, каким дополнительным пособиям следует отдать предпочтение; ведет конспект лекций и прорабатывает лекционный материал, пользуясь как конспектом, так и учебными пособиями.

До выполнения лабораторных работ обучающийся изучает соответствующий раздел теории. Перед занятием студент знакомится с описанием заданий для выполнения работы, внимательно изучает содержание и порядок проведения лабораторной работы. Полученные результаты исследований сводятся в отчет и защищаются по традиционной методике на следующем лабораторном занятии. Необходимый теоретический материал, индивидуальное задание, шаги выполнения лабораторной работы и требование к отчету приведены в методических указаниях, размещенных на информационно-образовательном портале института.:

Самостоятельная работа оказывает важное влияние на формирование личности будущего специалиста, она планируется обучающимся самостоятельно. Каждый обучающийся самостоятельно определяет режим своей работы и меру труда, затрачиваемого на овладение учебным содержанием дисциплины. Он выполняет внеаудиторную работу и изучение разделов, выносимых на самостоятельную работу, по личному индивидуальному плану, в зависимости от его подготовки, времени и других условий.

Форма заключительного контроля при промежуточной аттестации – зачет. Для проведения промежуточной аттестации по дисциплине разработаны фонд оценочных средств и балльно-рейтинговая система оценки учебной деятельности студентов. Оценка по дисциплине выставляется в информационной системе и носит интегрированный характер, учитывающий результаты оценивания участия студентов в аудиторных занятиях, качества и своевременности выполнения заданий в ходе изучения дисциплины и промежуточной аттестации.

 


лист_утверждения


РЕЦЕНЗИЯ

на  рабочую программу дисциплины

«Электроника»

по направлению подготовки 15.03.05 Конструкторско-технологическое обеспечение машиностроительных производств

 

Рабочая программа дисциплины «Электроника» составлена в соответствии с требованиями федерального государственного образовательного стандарта по направлению подготовки 15.03.05 Конструкторско-технологическое обеспечение машиностроительных производств.

На изучение данного курса по учебному плану отводится 72 час. (2 ЗЕТ). Формой итогового контроля изучения дисциплины является зачет .

Цель дисциплины: теоретическая и практическая подготовка бакалавров неэлектрических специальностей в области электроники в такой степени, чтобы они могли выбирать необходимые электронные приборы, электроизмерительные устройства, уметь их правильно эксплуатировать.

Основными задачами дисциплины являются изучение:

- основных законов и методов анализа электрических , магнитных и электронных цепей;

- принципов действия, свойств, областей применения электронных устройств ;

- основных параметров электронных схем, их расчет.

Содержание занятий соответствуют требованиям образовательного стандарта. Имеется перечень вопросов для самостоятельной работы студентов, способствующий более глубокому изучению дисциплины.

Освоение дисциплины позволит студентам приобрести теоретические и практические знания, необходимые при решении задач в будущей практической деятельности.

Предлагаемые фонды оценочных средств для выявления уровня знаний и умений обучаемых полностью охватывает содержание курса и соответствуют ФГОС.

Перечень учебно-методической литературы достаточен для изучения дисциплины. Имеются ссылки на электронно-библиотечные системы.

Рабочая программа дисциплины «Электроника» рекомендуется для использования в учебном процессе по направлению подготовки 15.03.05 Конструкторско-технологическое обеспечение машиностроительных производств.

 

22.05.2018 г.